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SYSCOM PARTS MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB

SYSCOM PARTS MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB

Marca:
SYSCOM PARTS
Referencia:
SYSCOMPARTS_50-N-06
https://www.ectronic.net/web/image/product.template/427626/image_1920?unique=92566cd

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Tecnología ECPIM
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Ancho: 25
Profundidad: 25
Altura: 25
Peso volumetrico: 3.125
Unidad de medida: Pieza

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Información de Producto

MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB

50-N-06

Modelo: 50-N-06

Marca: SYSCOM PARTS

Especificaciones:

Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una utilización óptima del silicio, lo que se traduce en un rendimiento excepcional. Se han diseñado para su uso en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Estos transistores pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.