RF PARTS Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
Marca:
RF PARTS
Referencia:
RFPARTS_RD70HUF2
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
| Ancho: 1 |
| Profundidad: 3 |
| Altura: 1 |
| Peso volumetrico: 0.0006 |
| Unidad de medida: Pieza |
Información de Producto
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
Modelo: RD70HUF2
Marca: RF PARTS
Especificaciones:
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
DESCRIPCIÓN
RD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.
CARACTERISTICAS
1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete
2. Empleando el paquete de molde
3. Alta potencia y alta eficiencia
Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz
Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz
4. Diodo integrado de protección de la puerta.
APLICACION
Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.